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IRFB4410PBF

IRFB4410PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFB4410PBF
PNEDA Teilenummer IRFB4410PBF
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
Hersteller Infineon Technologies
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IRFB4410PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFB4410PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRFB4410PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5150pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)200W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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RUL035N02FRATR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TUMT6

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

SI1069X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

184mOhm @ 940mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.86nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

308pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

NTB75N03RT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.7A (Ta), 75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SQ3419AEEV-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

975pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

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