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IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF9Z14PBF
PNEDA Teilenummer IRF9Z14PBF
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
Hersteller Vishay Siliconix
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IRF9Z14PBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF9Z14PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
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IRF9Z14PBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)43W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3-11

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQ3419EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

434nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

27000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

RSR020P05FRATL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96

FDP5800

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9160pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

242W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

LTC1726IS8-2.5#PBF

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IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

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TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

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TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

LT1783CS5#TRMPBF

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IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT23-5

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C&K

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

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