IRF9395MTRPBF
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| Teilenummer | IRF9395MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9395MTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.924 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF9395MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF9395MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF9395MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3241pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MC |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
