IRF9389PBF
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| Teilenummer | IRF9389PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9389PBF |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.892 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF9389PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF9389PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRF9389PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.8A, 4.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 398pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V Leistung - max 7.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
