IRF9383MTRPBF
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| Teilenummer | IRF9383MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF9383MTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.042 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF9383MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF9383MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF9383MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 22A (Ta), 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7305pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 113W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95) Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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