IRF7811AVTR
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| Teilenummer | IRF7811AVTR |
| PNEDA Teilenummer | IRF7811AVTR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.344 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7811AVTR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7811AVTR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF7811AVTR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 15A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1801pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P6 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 320µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 877pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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