IRF7807VD1PBF
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Teilenummer | IRF7807VD1PBF |
PNEDA Teilenummer | IRF7807VD1PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.506 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7807VD1PBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | IRF7807VD1PBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IRF7807VD1PBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | FETKY™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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