Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7757TR

IRF7757TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7757TR
PNEDA Teilenummer IRF7757TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.156
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7757TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7757TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7757TR, IRF7757TR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 132,27 KB)
PDFIRF7757TR Datenblatt Cover
IRF7757TR Datenblatt Seite 2 IRF7757TR Datenblatt Seite 3 IRF7757TR Datenblatt Seite 4 IRF7757TR Datenblatt Seite 5 IRF7757TR Datenblatt Seite 6 IRF7757TR Datenblatt Seite 7 IRF7757TR Datenblatt Seite 8 IRF7757TR Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF7757TR Datasheet
  • where to find IRF7757TR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7757TR
  • IRF7757TR PDF Datasheet
  • IRF7757TR Stock

  • IRF7757TR Pinout
  • Datasheet IRF7757TR
  • IRF7757TR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7757TR Price
  • IRF7757TR Distributor

IRF7757TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1340pF @ 15V
Leistung - max1.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ZXMN2AM832TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

299pF @ 15V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3x2)

HUFA76413DK8T-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI5936DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® ChipFet Dual

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

70V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

165A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

480nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-240AA

Lieferantengerätepaket

TO-240AA

SSM6N40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

ADUC7026BSTZ62-RL

ADUC7026BSTZ62-RL

Analog Devices

IC MCU 32BIT 62KB FLASH 80LQFP

SE5534AN

SE5534AN

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

CP2105-F01-GM

CP2105-F01-GM

Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

ECX-.327-CDX-1293

ECX-.327-CDX-1293

ECS

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

DG409DJ

DG409DJ

Maxim Integrated

IC MULTIPLEXER DUAL 4:1 16DIP

AD1580ART-REEL

AD1580ART-REEL

Analog Devices

IC VREF SHUNT 1.225V SOT23

DS1305EN

DS1305EN

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR SPI 20-TSSOP

MAX3224EEAP+T

MAX3224EEAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

SMBJ15CA

SMBJ15CA

Microsemi

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP