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IRF7754GTRPBF

IRF7754GTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7754GTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7754GTRPBF
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.460
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IRF7754GTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7754GTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7754GTRPBF, IRF7754GTRPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 236,32 KB)
PDFIRF7754GTRPBF Datenblatt Cover
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IRF7754GTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1984pF @ 6V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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-

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

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Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N Channel (Phase Leg)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

NTHD4502NT1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Leistung - max

640mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

ChipFET™

2N7335

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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