Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7752TR

IRF7752TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7752TR
PNEDA Teilenummer IRF7752TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7752TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7752TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7752TR, IRF7752TR Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 117,1 KB)
PDFIRF7752TR Datenblatt Cover
IRF7752TR Datenblatt Seite 2 IRF7752TR Datenblatt Seite 3 IRF7752TR Datenblatt Seite 4 IRF7752TR Datenblatt Seite 5 IRF7752TR Datenblatt Seite 6 IRF7752TR Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF7752TR Datasheet
  • where to find IRF7752TR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7752TR
  • IRF7752TR PDF Datasheet
  • IRF7752TR Stock

  • IRF7752TR Pinout
  • Datasheet IRF7752TR
  • IRF7752TR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7752TR Price
  • IRF7752TR Distributor

IRF7752TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds861pF @ 25V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FW274-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 10V

Leistung - max

2.2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NTLLD4901NFTWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

605pF @ 15V

Leistung - max

800mW, 810mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3x3)

STS8DNF3LL

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1170pF @ 50V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

IRF7319PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM

FIN1002M5X

FIN1002M5X

ON Semiconductor

IC RECEIVER 0/1 SOT23-5

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

ADF4001BCPZ-RL7

ADF4001BCPZ-RL7

Analog Devices

IC CLOCK GEN PLL 200MHZ 20LFCSP

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

PIC18F6520-I/PT

PIC18F6520-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 64TQFP