Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7493TRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7493TRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 33.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7493TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7493TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF7493TRPBF Datasheet
  • where to find IRF7493TRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7493TRPBF
  • IRF7493TRPBF PDF Datasheet
  • IRF7493TRPBF Stock

  • IRF7493TRPBF Pinout
  • Datasheet IRF7493TRPBF
  • IRF7493TRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7493TRPBF Price
  • IRF7493TRPBF Distributor

IRF7493TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1510pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPB65R190CFDATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 730µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STF20NF06L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±18V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IPAW60R600P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

21W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STW30NM60D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2520pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

312W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

JANTXV2N6800U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/557

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34.75nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

18-ULCC (9.14x7.49)

Paket / Fall

18-CLCC

Kürzlich verkauft

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

STW20NK50Z

STW20NK50Z

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

AT25F2048N-10SU-2.7

AT25F2048N-10SU-2.7

Microchip Technology

IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC

BSS123LT1G

BSS123LT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

ADUM1402BRWZ

ADUM1402BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

MAX3002EUP+

MAX3002EUP+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP

74279226101

74279226101

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 100 OHM 1812 1LN

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

Abracon

CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

LM2902N

LM2902N

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP