Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7404PBF

IRF7404PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7404PBF
PNEDA Teilenummer IRF7404PBF
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 8 - Nov 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7404PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7404PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF7404PBF Datasheet
  • where to find IRF7404PBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF7404PBF
  • IRF7404PBF PDF Datasheet
  • IRF7404PBF Stock

  • IRF7404PBF Pinout
  • Datasheet IRF7404PBF
  • IRF7404PBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF7404PBF Price
  • IRF7404PBF Distributor

IRF7404PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

HUF76429P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

RJK0853DPB-00#J5

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6170pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

65W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

CSD17577Q5A

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 53W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

DMP1200UFR4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

514pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1010-3

Paket / Fall

3-XFDFN

IRF7739L2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Ta), 375A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1mOhm @ 160A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET L8

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric L8

Kürzlich verkauft

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

ACPL-M43T-500E

ACPL-M43T-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 4KV TRANSISTOR 5-SO

BK2125HS750-T

BK2125HS750-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 75 OHM 0805 1LN

FDV302P

FDV302P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

MAX531BCPD+

MAX531BCPD+

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

IHLP5050FDER3R3M01

IHLP5050FDER3R3M01

Vishay Dale

FIXED IND 3.3UH 18A 6.8 MOHM SMD

MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

T491D106K050AT

T491D106K050AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 50V 2917

ISL6269CRZ

ISL6269CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

MC74HC00AD

MC74HC00AD

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

AS5040-ASST

AS5040-ASST

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC 512PPR