IRF7220GTRPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF7220GTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF7220GTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.842 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF7220GTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRF7220GTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRF7220GTRPBF Datasheet
- where to find IRF7220GTRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF7220GTRPBF
- IRF7220GTRPBF PDF Datasheet
- IRF7220GTRPBF Stock
- IRF7220GTRPBF Pinout
- Datasheet IRF7220GTRPBF
- IRF7220GTRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF7220GTRPBF Price
- IRF7220GTRPBF Distributor
IRF7220GTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 14V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8075pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3825pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268 Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 292pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 760mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8079pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 306W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
