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IRF7105QTRPBF

IRF7105QTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7105QTRPBF
PNEDA Teilenummer IRF7105QTRPBF
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Hersteller Infineon Technologies
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IRF7105QTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7105QTRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7105QTRPBF, IRF7105QTRPBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 593,61 KB)
PDFIRF7105QTRPBF Datenblatt Cover
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IRF7105QTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 15V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 25V

Leistung - max

21W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-5 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-5 Full-Pak

AON6938

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A, 33A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

SI3948DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

AUIRF7343QTR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Leistung - max

820mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

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