IRF6665TR1
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Teilenummer | IRF6665TR1 |
PNEDA Teilenummer | IRF6665TR1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.460 |
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IRF6665TR1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRF6665TR1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IRF6665TR1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ SH |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric SH |
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