IRF5806
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| Teilenummer | IRF5806 |
| PNEDA Teilenummer | IRF5806 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF5806 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF5806 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF5806 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 594pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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