IRF5801TRPBF
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| Teilenummer | IRF5801TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF5801TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF5801TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF5801TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF5801TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 600mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 420mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-363 Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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