Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF3706

IRF3706

Nur als Referenz

Teilenummer IRF3706
PNEDA Teilenummer IRF3706
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 3 - Apr 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF3706 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF3706
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF3706, IRF3706 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 349,39 KB)
PDFIRF3706STRR Datenblatt Cover
IRF3706STRR Datenblatt Seite 2 IRF3706STRR Datenblatt Seite 3 IRF3706STRR Datenblatt Seite 4 IRF3706STRR Datenblatt Seite 5 IRF3706STRR Datenblatt Seite 6 IRF3706STRR Datenblatt Seite 7 IRF3706STRR Datenblatt Seite 8 IRF3706STRR Datenblatt Seite 9 IRF3706STRR Datenblatt Seite 10 IRF3706STRR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF3706 Datasheet
  • where to find IRF3706
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF3706
  • IRF3706 PDF Datasheet
  • IRF3706 Stock

  • IRF3706 Pinout
  • Datasheet IRF3706
  • IRF3706 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF3706 Price
  • IRF3706 Distributor

IRF3706 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2410pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)88W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTM20SKM08TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

208A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

781W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP4

Paket / Fall

SP4

NTTFS4C02NTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

91W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

NVMFS5C450NWFAFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 102A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 65µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 97W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSON

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.3V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 46W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-6

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

ADG5419BRMZ

ADG5419BRMZ

Analog Devices

IC SWITCH SINGLE SPDT 8MSOP

7447709220

7447709220

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

CM1213-08MR

CM1213-08MR

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 8.8V 10MSOP

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

BC81725MTF

BC81725MTF

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23

VN10LP

VN10LP

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

NC7SZ00P5X

NC7SZ00P5X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5

C8051F340-GQ

C8051F340-GQ

Silicon Labs

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48TQFP

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A 16TSSOP

74HC14DR2G

74HC14DR2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

PLA10AN3630R3D2B

PLA10AN3630R3D2B

Murata

COMMON MODE CHOKE 300MA 2LN TH