IRF3704ZSTRRPBF
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| Teilenummer | IRF3704ZSTRRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF3704ZSTRRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF3704ZSTRRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF3704ZSTRRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRF3704ZSTRRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 67A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 57W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 568mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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