IR3598MTRPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IR3598MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IR3598MTRPBF |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 12 - Feb 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR3598MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR3598MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IR3598MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 15ns, 12ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN (3x3) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.7V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 85ns, 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket TO-220-5 |
