IR3519MTRPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IR3519MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IR3519MTRPBF |
| Beschreibung | IC MOSFET GATE DRIVER 8-MLPD |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR3519MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR3519MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IR3519MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 6.5V ~ 7.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 35V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 5ns, 5ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP (3x3) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 150ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
