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IR2151PBF

IR2151PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IR2151PBF
PNEDA Teilenummer IR2151PBF
Beschreibung IC DRIVER HALF BRIDGE DIP-8
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IR2151PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR2151PBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IR2151PBF, IR2151PBF Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 94,9 KB)
PDFIR2151PBF Datenblatt Cover
IR2151PBF Datenblatt Seite 2 IR2151PBF Datenblatt Seite 3 IR2151PBF Datenblatt Seite 4 IR2151PBF Datenblatt Seite 5 IR2151PBF Datenblatt Seite 6

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IR2151PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)125mA, 250mA
EingabetypRC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)80ns, 40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP6602BCRZA

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN-EP (5x5)

HIP2100EIB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

4V, 7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

AUIRS2184S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IXDI630YI

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

12.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

30A, 30A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

11ns, 11ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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