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IR2135JPBF

IR2135JPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IR2135JPBF
PNEDA Teilenummer IR2135JPBF
Beschreibung IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IR2135JPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR2135JPBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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IR2135JPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
Kanaltyp3-Phase
Anzahl der Treiber6
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)250mA, 500mA
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)90ns, 40ns
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Lieferantengerätepaket44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

90mA, 180mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

230ns, 90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP6601BECBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

IXA611P7

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

600mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 22ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

LM5107MA

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.3A, 1.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IXDF604SIATR

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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