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IR2113-1

IR2113-1

Nur als Referenz

Teilenummer IR2113-1
PNEDA Teilenummer IR2113-1
Beschreibung IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IR2113-1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR2113-1
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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IR2113-1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung3.3V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH6V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)25ns, 17ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads
Lieferantengerätepaket14-PDIP

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.7V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

27ns, 21ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-WFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 7ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IR2130

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

IXDF602SITR

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.5V ~ 7.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 5ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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