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IPW90R500C3FKSA1

IPW90R500C3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPW90R500C3FKSA1
PNEDA Teilenummer IPW90R500C3FKSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
Hersteller Infineon Technologies
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IPW90R500C3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPW90R500C3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPW90R500C3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 740µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)156W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO247-3
Paket / FallTO-247-3

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.5A (Ta), 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

ZXMN2A01FTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

303pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AOT4N60

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

530mW (Ta), 4.46W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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