IPU80R3K3P7AKMA1
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| Teilenummer | IPU80R3K3P7AKMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPU80R3K3P7AKMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 12.318 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPU80R3K3P7AKMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPU80R3K3P7AKMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IPU80R3K3P7AKMA1, IPU80R3K3P7AKMA1 Datenblatt
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IPU80R3K3P7AKMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 590mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 18W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 910mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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