IPT60R125G7XTMA1
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| Teilenummer | IPT60R125G7XTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPT60R125G7XTMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPT60R125G7XTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPT60R125G7XTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPT60R125G7XTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 6.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-2 |
| Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 7.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223 Paket / Fall TO-261-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta), 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ SH Paket / Fall DirectFET™ Isometric SH |
