IPP80R1K2P7XKSA1
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| Teilenummer | IPP80R1K2P7XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPP80R1K2P7XKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP80R1K2P7XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP80R1K2P7XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IPP80R1K2P7XKSA1, IPP80R1K2P7XKSA1 Datenblatt
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IPP80R1K2P7XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 37W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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