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IPP120N08S403AKSA1

IPP120N08S403AKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPP120N08S403AKSA1
PNEDA Teilenummer IPP120N08S403AKSA1
Beschreibung MOSFET N-CH TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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IPP120N08S403AKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPP120N08S403AKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPP120N08S403AKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 223µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs167nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds11550pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)278W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO220-3-1
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF6710S2TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET S1

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric S1

STFU10N80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NTB75N06T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.02A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IRFR9014PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

LTC6102HVIMS8#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT 8MSOP

ADG1606BCPZ-REEL7

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Analog Devices

IC MULTIPLEXER 1X16 32LFCSP

NC7WZ17P6

NC7WZ17P6

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5

1825027-5

1825027-5

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MAX15053EWL+T

MAX15053EWL+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 9WLP

MC79M12CDTRKG

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ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

USB3320C-EZK-TR

USB3320C-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN