IPN80R4K5P7ATMA1
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Teilenummer | IPN80R4K5P7ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPN80R4K5P7ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.654 |
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IPN80R4K5P7ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPN80R4K5P7ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPN80R4K5P7ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ P7 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 400mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
Paket / Fall | TO-261-3 |
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