IPN70R1K4P7SATMA1
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| Teilenummer | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 42.864 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPN70R1K4P7SATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPN70R1K4P7SATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPN70R1K4P7SATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 158pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 6.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
| Paket / Fall | TO-261-3 |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 332pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-26 Paket / Fall SOT-23-6 |
