IPLU300N04S4R7XTMA2
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| Teilenummer | IPLU300N04S4R7XTMA2 |
| PNEDA Teilenummer | IPLU300N04S4R7XTMA2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8HSOF |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPLU300N04S4R7XTMA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPLU300N04S4R7XTMA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPLU300N04S4R7XTMA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.76mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 287nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22945pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 429W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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