IPI60R250CPAKSA1
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| Teilenummer | IPI60R250CPAKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPI60R250CPAKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.256 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPI60R250CPAKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPI60R250CPAKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPI60R250CPAKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 139W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14200pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 18W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220SIS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17.5A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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