IPI072N10N3GXK
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Teilenummer | IPI072N10N3GXK |
PNEDA Teilenummer | IPI072N10N3GXK |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.834 |
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IPI072N10N3GXK Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPI072N10N3GXK |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPI072N10N3GXK Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ 3 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4910pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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