IPI045N10N3GXKSA1
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Teilenummer | IPI045N10N3GXKSA1 |
PNEDA Teilenummer | IPI045N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.172 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPI045N10N3GXKSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPI045N10N3GXKSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPI045N10N3GXKSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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