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IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPI029N06NAKSA1
PNEDA Teilenummer IPI029N06NAKSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 10.248
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IPI029N06NAKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPI029N06NAKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPI029N06NAKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO262-3
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3825pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF6215STRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PSMN1R6-30PL,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

212nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12493pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

306W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

PMCM4401VPEZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta), 12.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (2x2)

Paket / Fall

4-XFBGA, WLCSP

Kürzlich verkauft

RCLAMP3654P.TCT

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Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

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Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

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Xilinx

IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

CDBHD1100L-G

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Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP

MPQ7053

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Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

PESD12VS1UB,115

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TVS DIODE 12V 35V SOD523

M93C46-WBN6

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STMicroelectronics

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8DIP

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

EVN-D8AA03B54

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Panasonic Electronic Components

TRIMMER 50K OHM 0.1W PC PIN TOP

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

MP4560DN-LF-Z

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

AD8032ARMZ

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