IPG20N04S4L08ATMA1
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Teilenummer | IPG20N04S4L08ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPG20N04S4L08ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 182.286 |
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IPG20N04S4L08ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPG20N04S4L08ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IPG20N04S4L08ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
Leistung - max | 54W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
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