IPD5N25S3430ATMA1
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| Teilenummer | IPD5N25S3430ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPD5N25S3430ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD5N25S3430ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPD5N25S3430ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD5N25S3430ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3-313 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 625mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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