IPD50R650CEATMA1
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Teilenummer | IPD50R650CEATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPD50R650CEATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.298 |
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IPD50R650CEATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPD50R650CEATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD50R650CEATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ CE |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 342pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 69W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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