IPD053N06N3GBTMA1
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Teilenummer | IPD053N06N3GBTMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPD053N06N3GBTMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.472 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD053N06N3GBTMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPD053N06N3GBTMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
IPD053N06N3GBTMA1, IPD053N06N3GBTMA1 Datenblatt
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IPD053N06N3GBTMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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