IPC302N20NFDX1SA1
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Teilenummer | IPC302N20NFDX1SA1 |
PNEDA Teilenummer | IPC302N20NFDX1SA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.928 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPC302N20NFDX1SA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPC302N20NFDX1SA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPC302N20NFDX1SA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1A (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
Paket / Fall | Die |
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