IPC100N04S5L1R9ATMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.624 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPC100N04S5L1R9ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-34 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 94pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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