IPB80N06S405ATMA2
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| Teilenummer | IPB80N06S405ATMA2 |
| PNEDA Teilenummer | IPB80N06S405ATMA2 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB80N06S405ATMA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPB80N06S405ATMA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB80N06S405ATMA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 146mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4630pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™ FET-Typ N-Channel Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 18V Vgs (Max) +23V, -7V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 289pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-4-1 Paket / Fall TO-247-4 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5420pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 390W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
