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IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPB240N04S41R0ATMA1
PNEDA Teilenummer IPB240N04S41R0ATMA1
Beschreibung MOSFET N-CH TO263-7
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.690
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IPB240N04S41R0ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPB240N04S41R0ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPB240N04S41R0ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs221nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds17682pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)231W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TO263-7-3
Paket / FallTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

714W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

SI1428EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-6

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI4630DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6670pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TK5Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.22Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

IRF510S

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

PCF8575TS/1,112

PCF8575TS/1,112

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SSOP

MAX3160CAP+

MAX3160CAP+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

64900001039

64900001039

Littelfuse

FUSE BLOCK CART 250V 6.3A PCB

2920L075DR

2920L075DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 30V 750MA 2920

LAN8710AI-EZK

LAN8710AI-EZK

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IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

E-T-A

CIR BRKR THRM 4A 250VAC 50VDC

NUP2201MR6T1G

NUP2201MR6T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

SP3003-02JTG

SP3003-02JTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 15V SC70-5

DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3

MAX3490ESA+T

MAX3490ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC