IPB180N10S403ATMA1
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Teilenummer | IPB180N10S403ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPB180N10S403ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH TO263-7 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.808 |
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IPB180N10S403ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPB180N10S403ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB180N10S403ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10120pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7-3 |
Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 880mW (Ta), 47.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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