IPB065N15N3GE8187ATMA1
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Teilenummer | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.024 |
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IPB065N15N3GE8187ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB065N15N3GE8187ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 75V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7 |
Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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