IPA65R110CFDXKSA2
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| Teilenummer | IPA65R110CFDXKSA2 |
| PNEDA Teilenummer | IPA65R110CFDXKSA2 |
| Beschreibung | HIGH POWER_LEGACY |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.542 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPA65R110CFDXKSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPA65R110CFDXKSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPA65R110CFDXKSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CFD2 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 31.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 34.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 38A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 35A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V Vgs (Max) +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5240pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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