IPA65R095C7XKSA1
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Teilenummer | IPA65R095C7XKSA1 |
PNEDA Teilenummer | IPA65R095C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V TO220-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.130 |
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IPA65R095C7XKSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPA65R095C7XKSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPA65R095C7XKSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ C7 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 11.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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