IPA60R650CEXKSA1
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| Teilenummer | IPA60R650CEXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPA60R650CEXKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.828 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPA60R650CEXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPA60R650CEXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPA60R650CEXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 560W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ Paket / Fall ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 330µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 |
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