IPA60R190C6XKSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPA60R190C6XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPA60R190C6XKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPA60R190C6XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IPA60R190C6XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IPA60R190C6XKSA1 Datasheet
- where to find IPA60R190C6XKSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPA60R190C6XKSA1
- IPA60R190C6XKSA1 PDF Datasheet
- IPA60R190C6XKSA1 Stock
- IPA60R190C6XKSA1 Pinout
- Datasheet IPA60R190C6XKSA1
- IPA60R190C6XKSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPA60R190C6XKSA1 Price
- IPA60R190C6XKSA1 Distributor
IPA60R190C6XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie TrenchMV™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ Paket / Fall i4-Pac™-5 |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4870pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 55W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
